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Sandisk startet Sampling von BiCS10-3D-NAND mit 332 Layern

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Juli
03

Sandisk hat die Auslieferung erster Muster seines BiCS10 1-Tb TLC 3D NAND angekündigt. Die zehnte Generation der hauseigenen Flash-Speichertechnologie setzt auf 332 Speicherschichten, eine höhere Datendichte sowie eine gesteigerte Energieeffizienz und richtet sich vor allem an zukünftige SSDs für Rechenzentren, KI-Anwendungen und andere datenintensive Einsatzbereiche.

Höhere Speicherdichte und schnellere Schnittstelle

Mit BiCS10 verfolgt Sandisk die Weiterentwicklung seiner bewährten BiCS-3D-NAND-Architektur. Durch ein optimiertes Layout und fortschrittliche Skalierungstechniken erreicht der neue Speicher laut Hersteller eine Speicherdichte von über 29 Gb/mm².

Im Vergleich zur aktuell in Massenproduktion befindlichen BiCS8-Generation nennt Sandisk folgende Verbesserungen:

MerkmalBiCS10
Speichertyp1 Tb TLC 3D NAND
Speicherlagen332
Maximale Schnittstellengeschwindigkeit4,8 Gb/s
Bitdichte+59 % gegenüber BiCS8
Schnittstellengeschwindigkeit+33 % gegenüber BiCS8

Die maximale NAND-Schnittstellengeschwindigkeit steigt auf 4,8 Gb/s, was einer Steigerung von rund 33 Prozent gegenüber der achten BiCS-Generation entspricht.

Geringerer Stromverbrauch

Neben der höheren Leistung soll auch die Energieeffizienz verbessert worden sein.

Nach Angaben von Sandisk sinkt der Stromverbrauch im Vergleich zu BiCS8 um:

  • 10 Prozent bei Schreib- beziehungsweise Eingabevorgängen,
  • 34 Prozent bei Ausgabe- und Leseoperationen.

Gerade für Rechenzentren und KI-Beschleuniger, in denen Energiebedarf und Kühlung eine immer größere Rolle spielen, könnten diese Verbesserungen einen wichtigen Beitrag leisten.

Bewährte CBA-Technologie bleibt erhalten

BiCS10 setzt weiterhin auf Sandisks CMOS directly Bonded to Array (CBA)-Technologie.

Dabei werden Logikschaltung und Speicherzellen zunächst auf getrennten Wafern gefertigt und anschließend mit hoher Präzision miteinander verbunden. Dieses Verfahren ermöglicht eine effizientere Flächennutzung und erleichtert die weitere Skalierung zukünftiger NAND-Generationen.

Zusätzlich unterstützt BiCS10 mehrere aktuelle Standards und Technologien, darunter:

  • Toggle DDR6.0,
  • SCA-Protokoll,
  • PI-LTT-Technologie.

Diese sollen hohe Datenraten mit gleichzeitig niedrigem Energieverbrauch ermöglichen.

Fokus auf KI- und Rechenzentrumsanwendungen

Mit der zehnten BiCS-Generation richtet sich Sandisk vor allem an zukünftige Speicherlösungen für datenintensive Anwendungen. Die Kombination aus höherer Speicherdichte, schnellerer Anbindung und verbessertem Energieverbrauch soll insbesondere den Anforderungen moderner KI-Systeme, Enterprise-SSDs und Cloud-Infrastrukturen gerecht werden.

Derzeit befindet sich BiCS10 1-Tb TLC 3D NAND in der Sampling-Phase. Einen Termin für den Beginn der Massenproduktion oder erste Produkte auf Basis der neuen Speicherchips hat Sandisk bislang noch nicht bekannt gegeben.

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Quelle: Sandisk startet Sampling von BiCS10-3D-NAND mit 332 Layern