Samsung halbiert HBM-Entwicklungszyklus auf ein Jahr und stellt sich komplett auf das AI-Tempo ein

Samsung will künftig jedes Jahr eine neue HBM-Generation vorstellen. Bislang hat der südkoreanische Speicherhersteller rund zwei Jahre gebraucht, um von einer High-Bandwidth-Memory-Generation zur nächsten zu kommen, nun soll dieser Zyklus komplett halbiert werden. Das berichtet die südkoreanische Publikation Busan unter Berufung auf firmeninterne Quellen. Hintergrund ist die beschleunigte Taktfrequenz, mit der große Kunden wie NVIDIA, AMD und Google neue AI-Beschleuniger auf den Markt bringen. Wer dort pro Plattformgeneration HBM liefern will, muss am selben Jahresrhythmus hängen, den die Beschleuniger inzwischen vorgeben.

Warum der Zwei-Jahres-Rhythmus plötzlich nicht mehr reicht

Über Jahre hinweg war der HBM-Entwicklungszyklus komfortabel eingeschwungen. HBM2 kam 2016, HBM2E 2019, HBM3 2022, HBM3E Ende 2023, und HBM4 soll in den kommenden Monaten in Großserie anlaufen. Damit kamen die Hersteller zurecht, solange KI-Beschleuniger alle zwei Jahre erneuert wurden. Seit NVIDIA auf einen Jahresrhythmus umgestellt hat, Blackwell 2025 und Rubin 2026 direkt aufeinander folgen und Rubin Ultra für 2027 mit deutlich anspruchsvolleren Speicheranforderungen angekündigt ist, geht diese Rechnung nicht mehr auf. AMD zieht mit den Instinct-MI400-Plattformen in vergleichbarem Tempo nach, Googles TPU-Roadmap ebenfalls.

Ein firmennaher Insider wird in den Busan-Berichten so zitiert, dass Samsung einen Plan aufgesetzt hat, die Einführung neuer HBM-Generationen mit den Launch-Zyklen der wichtigsten AI-Beschleunigerkunden zu synchronisieren. Das ist der entscheidende Punkt: Der Jahresrhythmus kommt nicht aus technischer Begeisterung, sondern aus kundenseitigem Druck. Wer bei der nächsten Rubin- oder MI-Generation HBM liefern will, muss zum passenden Zeitpunkt fertig sein, und zwar ohne Verzögerung.

Custom HBM als eigentlicher Treiber

Parallel verschiebt sich innerhalb des HBM-Markts das Gleichgewicht. Bis einschließlich HBM4 bleibt das Speicherdesign weitgehend standardisiert, JEDEC-konform und von Kunde zu Kunde austauschbar. Ab HBM4E und insbesondere ab HBM5 rücken sogenannte Custom-HBM-Varianten in den Vordergrund, bei denen Hyperscaler wie Google, Meta oder NVIDIA eigene Anforderungen an Base-Die, Interface oder Konfiguration durchsetzen können. Samsung hat dafür laut The Elec bereits zwei getrennte HBM-Teams aufgestellt, eines für Standard-Designs und eines für Custom-Projekte, und hat die Custom-Entwicklung zuletzt um rund 250 zusätzliche Ingenieure verstärkt.

Der Jahresrhythmus schafft hier einen doppelten Vorteil. Er erlaubt schnellere Reaktionen auf sich ändernde Kundenanforderungen und reduziert gleichzeitig die Gefahr, zwei Jahre lang an einem Design festzuhängen, das zwischenzeitlich durch veränderte Spezifikationen entwertet wird. Custom HBM ist damit nicht nur ein technisches, sondern auch ein organisatorisches Argument für kürzere Zyklen.

Die nächsten Meilensteine: HBM4E im zweiten Halbjahr, HBM5 beschleunigt

Praktisch wird die neue Geschwindigkeit zunächst beim Übergang von HBM4 auf HBM4E sichtbar. Samsung plant nach eigenen Angaben, HBM4E in der zweiten Jahreshälfte 2026 erstmals zu bemustern. Das Custom-HBM4E-Design soll laut The Elec bis Mai oder Juni 2026 finalisiert sein, SK Hynix und Micron hängen an einem ähnlichen Zeitstrahl. Die Branche geht bislang von einem regulären HBM4E-Start im Jahr 2027 und einer HBM5-Einführung um 2029 aus. Samsungs neuer Zyklus würde beide Termine tendenziell nach vorne ziehen.

Ein Punkt, an dem Samsung einen strukturellen Vorteil hat, ist die vertikale Integration. Base-Die-Fertigung, Stacking und Packaging finden intern statt, was Abstimmungszeiten verkürzt und Änderungen in einer Prozessstufe schneller in die nächste übernehmen lässt. Beim Base-Die für HBM4 setzt Samsung auf einen 4-Nanometer-Prozess, beim Sprung auf Custom HBM plant das Unternehmen laut ZDNet Korea den Wechsel auf einen 2-Nanometer-Node. Auch Techniken wie Hybrid Bonding, die für höhere Stack-Dichten ab HBM5 notwendig werden, liegen bei Samsung weitgehend im Haus.

Micron dagegen lässt den Base-Die für HBM4E von TSMC fertigen und bleibt bei einem älteren DRAM-Prozess, was in der Branche regelmäßig als struktureller Nachteil im Custom-HBM-Rennen kommentiert wird. SK Hynix wiederum arbeitet eng mit TSMC zusammen und setzt bei Mainstream-Server-Base-Dies auf den 12-Nanometer-Node, bei Premium-Designs auf 3 Nanometer. Im Vergleich dieser drei Ansätze will Samsung die eigene In-House-Kette als Geschwindigkeitsvorteil ausspielen.

Marktanteile und Kapazitätsplan

Derzeit liegt Samsungs HBM-Marktanteil laut Counterpoint Research bei 35 Prozent, SK Hynix führt mit 53 Prozent, Micron hält 11 Prozent. Samsung hat mehrfach kommuniziert, bei HBM4 einen Anteil von mehr als 50 Prozent anpeilen zu wollen. Auf der GTC 2026 hat Memory-Entwicklungsvorstand Hwang Sang-jun angekündigt, die HBM-Produktion um mehr als 300 Prozent hochzufahren, andere Berichte sprechen konservativer von einer Kapazitätserweiterung um rund 50 Prozent im Gesamtjahr 2026. Zur Umsetzung baut Samsung das Werk P5 in Pyeongtaek aus, das 2028 in Betrieb gehen soll, sowie das bereits laufende R&D-Zentrum in Yongin. SK Hynix kontert mit einer Investition von bis zu 410 Milliarden US-Dollar in den Yongin-Cluster, dessen erste Fab 2027 anläuft.